HORIBA堀場(chǎng)SEC-N112MGM是SEC-N100家族中銷量的模擬接口型氣體質(zhì)量流量控制器，憑借高精度、高速響應(yīng)與多場(chǎng)景適配能力，被業(yè)界譽(yù)為“小Z500"。它以MGMR（多氣體/多量程）技術(shù)為核心，將10SCCM至50SLM的流量跨度濃縮于單臺(tái)設(shè)備，為半導(dǎo)體、光伏、LED等對(duì)成本與精度雙重敏感的行業(yè)，提供了兼具性價(jià)比與可靠性的流量控制解決方案。

二、核心技術(shù)與性能參數(shù)

（一）精準(zhǔn)測(cè)量技術(shù)

采用熱式傳感器原理，通過微型加熱電橋?qū)崟r(shí)檢測(cè)氣體帶走的熱量，直接輸出質(zhì)量流量數(shù)據(jù)，規(guī)避溫度、壓力波動(dòng)對(duì)測(cè)量結(jié)果的干擾，確保數(shù)據(jù)精準(zhǔn)性。搭配16點(diǎn)多段曲線與HORIBA專屬氣體數(shù)據(jù)庫，可實(shí)現(xiàn)N?、O?、Ar、H?、SiH?等數(shù)十種工藝氣體的線性補(bǔ)償，無需額外校準(zhǔn)即可適配多氣體場(chǎng)景。

（二）關(guān)鍵性能指標(biāo)

• 流量范圍：10SCCM - 50SLM（N?當(dāng)量），支持在20% - 100%滿量程間通過軟件自由切換；

• 精度表現(xiàn)：設(shè)定值＞30%F.S.時(shí)，精度達(dá)±1.0% of Set Point；設(shè)定值≤30%F.S.時(shí)，精度為±0.3%F.S.；

• 響應(yīng)速度：搭載可變PID控制算法，全量程階躍響應(yīng)時(shí)間≤1秒，可快速適應(yīng)工藝參數(shù)變化；

• 穩(wěn)定性保障：重復(fù)性±0.2%F.S.，外漏率≤1×10?11Pa·m3/s（He），采用316L EP管（Ra≤0.25µm）與全金屬密封結(jié)構(gòu)，無橡膠圈設(shè)計(jì)，適配高純度與腐蝕性氣體環(huán)境。

（三）接口與安裝特性

支持0–5V、0–10V、4–20mA模擬輸出，供電為±15VDC（±5%），整機(jī)功耗＜3W；設(shè)備尺寸為81.8×30.5×126mm，重量?jī)H1.2kg，支持任意角度安裝，適配復(fù)雜系統(tǒng)集成需求。

三、多場(chǎng)景應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

（一）半導(dǎo)體制造

在刻蝕、LPCVD、ALD等工藝腔體中，可實(shí)現(xiàn)SiH?、PH?、NF?等工藝氣體的精密配送，精準(zhǔn)控制氣體流量與配比，保障晶圓加工的均勻性與良品率。

（二）光伏產(chǎn)業(yè)

針對(duì)PERC、TopCon電池的擴(kuò)散與PECVD工藝，能穩(wěn)定控制NH?、B?H?、N?O等氣體流量，助力提升電池轉(zhuǎn)化效率，降低原材料損耗。

（三）LED/OLED生產(chǎn)

在MOCVD反應(yīng)腔中，可高效管理載氣與反應(yīng)氣體流量，保障外延層生長(zhǎng)的厚度均勻性，提升LED器件的亮度與壽命。

（四）其他領(lǐng)域

在燃料電池領(lǐng)域，可用于氫氣、空氣的計(jì)量與泄露測(cè)試；在環(huán)保與實(shí)驗(yàn)室場(chǎng)景中，支持CEMS標(biāo)氣稀釋、手套箱氣氛控制等高精度操作。

四、成本與效率優(yōu)勢(shì)

MGMR技術(shù)賦予設(shè)備“一臺(tái)頂多臺(tái)"的能力，通過軟件即可瞬間切換氣體種類與量程，可減少50%以上的備件庫存。切換后1秒內(nèi)完成PID參數(shù)重算，無需拆機(jī)重新標(biāo)定，幾乎無停機(jī)時(shí)間，從采購、校準(zhǔn)、維護(hù)到倉儲(chǔ)全流程降低成本，已被多家晶圓廠納入“降本增效"實(shí)踐案例